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Polarizzazione e stadi amplificatori

Elettronica · Elettronica analogica Articolo

Percorso: Fondamenti di elettronica · 17 di 20

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Indice

Il punto di lavoro

Nell’amplificatore a source comune la polarizzazione veniva da un generatore di tensione in serie al segnale: comodo per i conti, scomodo per costruire. Un circuito di polarizzazione deve fare tre cose. Deve fissare il punto di lavoro in modo semplice e preciso; deve renderlo stabile, cioè il più possibile indipendente dai parametri del transistore, che cambiano con la temperatura e da un esemplare all’altro; e deve lasciare spazio a tutta l’escursione del segnale senza che il transistore esca dalla saturazione.

Il modo più semplice di fissare la tensione del gate con la sola alimentazione è un partitore: R2R_2 verso VDDV_{DD}, R1R_1 verso massa. Il gate non assorbe corrente, e VG=VDDR1/(R1+R2)V_G = V_{DD}R_1/(R_1 + R_2). La scelta dei valori non è unica: resistori piccoli consumano corrente di continuo; resistori grandi consumano poco, ma rendono il nodo lento a rispondere alle capacità parassite e sono ingombranti in un circuito integrato. Una regola pratica è far scorrere nel partitore una piccola frazione della corrente di drain.

Portare il segnale all’amplificatore

Collegare direttamente, in continua, la sorgente del segnale al gate funziona solo se la tensione a riposo della sorgente coincide con quella del gate. Un generatore riferito a massa, collegato al gate, porterebbe il gate a zero e spegnerebbe il transistore; una sorgente con resistenza interna, anche a tensione media giusta, sposterebbe la polarizzazione del partitore. L’accoppiamento in continua si usa quando si progettano insieme sorgente e amplificatore, come nei circuiti integrati.

Altrimenti si separa la continua dal segnale con un condensatore in serie: è l’accoppiamento in alternata. Per la polarizzazione il condensatore è un circuito aperto, perché a regime non ci passa corrente, e il partitore fissa il gate qualunque sia la tensione a riposo della sorgente. Per un segnale che varia in fretta rispetto alla costante di tempo τ=C(Rg+R1R2)\tau = C(R_g + R_1\parallel R_2), con RgR_g resistenza della sorgente, la carica del condensatore non fa in tempo a cambiare, la tensione ai suoi capi resta costante, e le variazioni passano intere. Un segnale lento, invece, fa in tempo a caricare e scaricare il condensatore, e non arriva al gate. Come per il circuito RC, il confine è intorno alla frequenza 1/2πτ1/2\pi\tau. Per segnali lenti servono condensatori grandi, difficili da integrare.

Uno stadio a source comune con degenerazione Uno stadio amplificatore. Tra l'alimentazione V D D e massa un partitore di due resistori, R 2 in alto e R 1 in basso, fissa la tensione del gate di un transistore n. Il drain è collegato a V D D attraverso R D, e da lì esce V out; il source è collegato a massa attraverso R S. Il generatore di segnale v in, riferito a massa, arriva al gate attraverso un condensatore C in serie. VDD RD RS R2 R1 C vin Vout G

Uno stadio a source comune completo: il partitore R1R_1, R2R_2 polarizza il gate, il condensatore CC porta il segnale, e la resistenza RSR_S sul source stabilizza il punto di lavoro.

La resistenza sul source

Con la tensione tra gate e source fissata dal partitore, la corrente ID=k(VGSVTH)2I_D = k(V_{GS} - V_{TH})^2 segue ogni variazione del transistore. Derivando, dID/ID=dk/kdI_D/I_D = dk/k: un kk più grande del 10% dà una corrente più grande del 10%. Ancora peggio con la soglia: dID/ID=2dVTH/VovdI_D/I_D = -2\,dV_{TH}/V_{ov}, e con Vov=0,3V_{ov} = 0{,}3 V cinquanta millivolt di soglia cambiano la corrente di un terzo. Una resistenza RSR_S tra il source e massa rimedia: se la corrente cresce, cresce la tensione del source, cala VGSV_{GS}, e la corrente torna indietro.

Proposizione (stabilità della polarizzazione)

In uno stadio con tensione di gate VGV_G fissa e resistenza RSR_S sul source, con il transistore saturo e transconduttanza gmg_m nel punto di lavoro, le variazioni relative della corrente dovute a piccole variazioni di kk e della soglia sono

dIDID=11+gmRSdkk,dIDID=11+gmRS2dVTHVov.\frac{dI_D}{I_D} = \frac{1}{1 + g_mR_S}\,\frac{dk}{k} , \qquad \frac{dI_D}{I_D} = -\frac{1}{1 + g_mR_S}\,\frac{2\,dV_{TH}}{V_{ov}} .
Dimostrazione.

La corrente soddisfa ID=k(VGIDRSVTH)2I_D = k\left(V_G - I_DR_S - V_{TH}\right)^2. Si derivano i due membri rispetto a kk, tenendo conto che anche IDI_D dipende da kk:

dIDdk=(VGSVTH)22k(VGSVTH)RSdIDdk=IDkgmRSdIDdk,\begin{aligned} \frac{dI_D}{dk} &= \left(V_{GS} - V_{TH}\right)^2 - 2k\left(V_{GS} - V_{TH}\right)R_S\frac{dI_D}{dk} \\ &= \frac{I_D}{k} - g_mR_S\frac{dI_D}{dk} , \end{aligned}

da cui (1+gmRS)dID/dk=ID/k(1 + g_mR_S)\,dI_D/dk = I_D/k, la prima tesi. Rispetto a VTHV_{TH}, allo stesso modo, dID/dVTH=2kVov(RSdID/dVTH+1)=gmRSdID/dVTHgmdI_D/dV_{TH} = -2kV_{ov}(R_S\,dI_D/dV_{TH} + 1) = -g_mR_S\,dI_D/dV_{TH} - g_m, e con gm=2ID/Vovg_m = 2I_D/V_{ov} si ottiene la seconda.

Fine della dimostrazione.

Il fattore 1+gmRS1 + g_mR_S si chiama fattore di degenerazione, e RSR_S resistenza di degenerazione. Un esempio con il transistore di riferimento, k=0,86k = 0{,}86 mA/V² e VTH=0,34V_{TH} = 0{,}34 V, alimentato a 3,33{,}3 V: per avere ID=77,6 μI_D = 77{,}6\ \muA con Vov=0,3V_{ov} = 0{,}3 V e RS=7,5R_S = 7{,}5 kΩ\Omega il source sta a 0,580{,}58 V e il gate a 0,58+0,64=1,220{,}58 + 0{,}64 = 1{,}22 V, che un partitore da 1 MΩ\Omega ottiene con R1=371R_1 = 371 kΩ\Omega e R2=629R_2 = 629 kΩ\Omega. Con gm=0,52g_m = 0{,}52 mA/V il fattore vale 1+3,9=4,91 + 3{,}9 = 4{,}9: un kk più grande del 10% alza la corrente dell’1,9%, e 50 mV di soglia in più la abbassano del 6,8%, contro il 31% senza RSR_S.

La resistenza sul source stabilizza la polarizzazione Grafico della corrente di drain in funzione della tensione tra gate e source. La parabola del transistore si alza e si abbassa nell'animazione, a rappresentare un parametro k più grande o più piccolo del 20 per cento. Una linea verticale tratteggiata a V G S fissa incontra la parabola in un punto arancione, che sale e scende di molto. Una retta in discesa, la retta della resistenza sul source, incontra la parabola in un punto blu, che si sposta molto meno. 0,40,60,811,2 050100150 ID (μA) VGS (V) VGS fissa retta di RS

La corrente del transistore di riferimento al variare di kk del ±20%. Con VGSV_{GS} fissa il punto di lavoro, arancio, segue la parabola; con la resistenza sul source è l’intersezione con la retta I=(VGVGS)/RSI = (V_G - V_{GS})/R_S, blu, e si sposta molto meno.

La resistenza sul source cambia anche il comportamento su segnale. Il segnale vinv_{in} sul gate si divide tra vgsv_{gs} e la tensione su RSR_S.

Proposizione (stadio con degenerazione)

In uno stadio a source comune con resistenza RDR_D sul drain e RSR_S sul source, trascurando ror_o, il guadagno di piccolo segnale è

G=gmRD1+gmRS=RD1/gm+RS.G = -\frac{g_mR_D}{1 + g_mR_S} = -\frac{R_D}{1/g_m + R_S} .

Per un segnale vin=Asinωtv_{in} = A\sin\omega t la corrente di segnale, sviluppata in serie di vinv_{in}, ha i coefficienti di primo e secondo grado

a1=gm1+gmRS,a2=k(1+gmRS)3,a_1 = \frac{g_m}{1 + g_mR_S} , \qquad a_2 = \frac{k}{\left(1 + g_mR_S\right)^3} ,

e la distorsione di seconda armonica è HD2=A4Vov1(1+gmRS)2HD_2 = \dfrac{A}{4V_{ov}}\,\dfrac{1}{\left(1 + g_mR_S\right)^2}.

Dimostrazione.

Con il condensatore di accoppiamento che si comporta da cortocircuito per il segnale, vg=vinv_g = v_{in} e vs=RSidv_s = R_Si_d. La corrente di segnale del transistore saturo è esattamente id=gmvgs+kvgs2i_d = g_mv_{gs} + kv_{gs}^2, con vgs=vinRSidv_{gs} = v_{in} - R_Si_d. Si cerca id=a1vin+a2vin2+i_d = a_1v_{in} + a_2v_{in}^2 + \dots e si uguagliano i coefficienti. Al primo grado a1=gm(1RSa1)a_1 = g_m(1 - R_Sa_1), cioè a1=gm/(1+gmRS)a_1 = g_m/(1 + g_mR_S). Al secondo grado, con vgs=(1RSa1)vinRSa2vin2+v_{gs} = (1 - R_Sa_1)v_{in} - R_Sa_2v_{in}^2 + \dots,

a2=gmRSa2+k(1RSa1)2,a_2 = -g_mR_Sa_2 + k\left(1 - R_Sa_1\right)^2 ,

e poiché 1RSa1=1/(1+gmRS)1 - R_Sa_1 = 1/(1 + g_mR_S) si ottiene a2(1+gmRS)=k/(1+gmRS)2a_2(1 + g_mR_S) = k/(1 + g_mR_S)^2. L’uscita è vout=RDidv_{out} = -R_Di_d, e il guadagno lineare è RDa1-R_Da_1. Come nello stadio senza degenerazione, a2A2sin2ωta_2A^2\sin^2\omega t produce una seconda armonica di ampiezza a2A2/2a_2A^2/2, e il suo rapporto con la prima, a1Aa_1A, è a2A/2a1=kA/2gm(1+gmRS)2=A/4Vov(1+gmRS)2a_2A/2a_1 = kA/2g_m(1 + g_mR_S)^2 = A/4V_{ov}(1 + g_mR_S)^2.

Fine della dimostrazione.

Il guadagno cala del fattore di degenerazione, e se gmRS1g_mR_S \gg 1 diventa RD/RS-R_D/R_S: dipende solo da due resistori, che si fabbricano precisi e stabili, e non più dal transistore. La distorsione cala del quadrato del fattore: una parte perché al transistore arriva solo la frazione 1/(1+gmRS)1/(1 + g_mR_S) del segnale, una parte perché la retroazione corregge la curvatura. Con RD=25R_D = 25 kΩ\Omega e i valori di prima il guadagno è 2,65-2{,}65 (il limite RD/RS-R_D/R_S darebbe 3,33-3{,}33, perché gmRSg_mR_S non è molto più di 1) e la distorsione per 50 mV passa dal 4,2% allo 0,17%. Il prezzo è il guadagno, e la tensione che cade su RSR_S, sottratta alla dinamica di uscita.

Collegare gli stadi

Gli stadi si usano in cascata, e sarebbe comodo che i loro guadagni si moltiplicassero senza sorprese. Perché accada servono tre condizioni. La tensione a riposo dell’uscita di uno stadio deve essere quella giusta per l’ingresso del successivo, altrimenti serve un condensatore o un traslatore di livello. Per passare un segnale di tensione, la resistenza di uscita del primo deve essere molto più piccola della resistenza di ingresso del secondo, per il partitore tra le due. Per passare un segnale di corrente vale il contrario.

Lo stadio a source comune ha una resistenza di uscita pari a RDR_D, grande. Se lo stadio di prima, con RD=25R_D = 25 kΩ\Omega, pilota direttamente un carico di 2 kΩ\Omega attraverso un condensatore, il guadagno crolla da 2,65-2{,}65 a 0,20-0{,}20. Rimpicciolire RDR_D ridurrebbe il guadagno. Serve uno stadio intermedio con resistenza di ingresso alta e di uscita bassa: un buffer.

Il source follower

Lo stadio con la resistenza sul source, con l’uscita presa sul source invece che sul drain, è un buffer quasi ideale. La tensione del source segue quella del gate, a una distanza VGSV_{GS} quasi costante: da qui il nome di source follower. Il resistore sul drain non serve più, e il drain si collega all’alimentazione. Spesso al posto di RSR_S c’è un generatore di corrente.

Proposizione (source follower)

In un source follower con resistenza RSR_S tra source e massa, trascurando ror_o e l’effetto body, il guadagno, la resistenza di ingresso e quella di uscita sono

G=RS1/gm+RS,rin=,ru=RS1gm.G = \frac{R_S}{1/g_m + R_S} , \qquad r_{in} = \infty , \qquad r_u = R_S\parallel\frac{1}{g_m} .

Con un generatore di corrente ideale al posto di RSR_S, G=1G = 1 e ru=1/gmr_u = 1/g_m.

Dimostrazione.

La corrente di segnale del transistore è gm(vinvout)g_m(v_{in} - v_{out}) e scorre in RSR_S: gm(vinvout)=vout/RSg_m(v_{in} - v_{out}) = v_{out}/R_S, da cui vout(1/RS+gm)=gmvinv_{out}(1/R_S + g_m) = g_mv_{in} e la formula del guadagno. Il gate non assorbe corrente, e la resistenza di ingresso è infinita. Per quella di uscita si spegne vinv_{in} e si applica all’uscita una tensione di prova v\partial v: il transistore ha vgs=vv_{gs} = -\partial v e assorbe dal nodo la corrente gmvg_m\partial v, verso massa attraverso il drain collegato all’alimentazione, che per il segnale è un cortocircuito; RSR_S ne assorbe v/RS\partial v/R_S. La corrente totale è i=(gm+1/RS)v\partial i = (g_m + 1/R_S)\,\partial v, e ru=v/ir_u = \partial v/\partial i. Un generatore di corrente ideale è un circuito aperto per il segnale, cioè RSR_S \to \infty.

Fine della dimostrazione.

La resistenza di uscita 1/gm1/g_m è piccola se il transistore porta molta corrente. Con il transistore di riferimento e un generatore da 200 μ200\ \muA, Vov=0,48V_{ov} = 0{,}48 V, gm=0,83g_m = 0{,}83 mA/V e ru=1,2r_u = 1{,}2 kΩ\Omega. Con il drain all’alimentazione il gate può salire fino a VDDV_{DD} senza che il transistore esca dalla saturazione: la dinamica verso l’alto è ampia.

Il source follower A sinistra il source follower: un transistore n con il drain all'alimentazione, il gate all'ingresso v in e il source all'uscita v out; dal source un generatore di corrente I 0 va a massa. A destra il circuito per la resistenza di uscita: un generatore di prova tra l'uscita e massa, il transistore come generatore di corrente g m per v g s dall'alimentazione, che per il segnale è come la massa, verso l'uscita, e la resistenza r o del generatore di corrente, tratteggiata, dall'uscita a massa. VDD vin vout I0 gmvgs ro ∂v ∂i VDD circuito resistenza di uscita

A sinistra il source follower, polarizzato da un generatore di corrente I0I_0. A destra il circuito per la resistenza di uscita: con l’ingresso spento, una tensione di prova v\partial v sull’uscita fa passare nel transistore la corrente gmvg_m\partial v. Il generatore di corrente reale ha una resistenza ror_o, tratteggiata.

Due effetti allontanano il guadagno da 1. Il generatore di corrente reale ha una resistenza ror_o: con λ=0,05 V1\lambda = 0{,}05\ \text{V}^{-1} e 200 μ200\ \muA è 100100 kΩ\Omega, e il guadagno è ro/(1/gm+ro)=0,99r_o/(1/g_m + r_o) = 0{,}99. Più importante è l’effetto body: il source sale sopra il body, collegato a massa, e con lui la soglia. Una variazione voutv_{out} del source cambia la soglia di γvout/22φF+VSB\gamma v_{out}/2\sqrt{2\varphi_F + V_{SB}}, e il transistore si comporta come se avesse una transconduttanza aggiuntiva gmb=gmγ/22φF+VSBg_{mb} = g_m\gamma/2\sqrt{2\varphi_F + V_{SB}} comandata dall’uscita. Per l’esempio, con il source a 1 V sopra il body, gmb/gm=0,20g_{mb}/g_m = 0{,}20, e con un generatore di corrente ideale il guadagno diventa gm/(gm+gmb)=0,84g_m/(g_m + g_{mb}) = 0{,}84. Nei circuiti in cui conta si costruisce il transistore in un pozzo separato con il body collegato al source.

Carichi attivi e specchi di corrente

Nel source follower, come nello stadio a source comune, un resistore grande dà prestazioni migliori, ma fa cadere una tensione continua grande. Un generatore di corrente ha una resistenza di segnale grande, ror_o, con una caduta continua piccola: sostituito a un resistore lungo il percorso del segnale si chiama carico attivo, ed è la norma nei circuiti integrati, dove i resistori grandi occupano molta area.

Un MOSFET saturo con VGSV_{GS} fissata è già un generatore di corrente, ma con i difetti visti: un partitore sul gate dà una corrente sensibile a tutto. Meglio fissare direttamente la corrente, e copiarla.

Proposizione (specchio di corrente)

Due transistori con la stessa soglia e lo stesso μCox\mu C_{ox}, con i source a massa e i gate collegati, in cui il primo ha il gate collegato al drain e porta la corrente IrefI_{ref}, e il secondo è saturo, portano correnti nel rapporto

IoutIref=W2/L2W1/L1,\frac{I_{out}}{I_{ref}} = \frac{W_2/L_2}{W_1/L_1} ,

trascurando la modulazione della lunghezza di canale.

Dimostrazione.

Il primo transistore ha VDS=VGSV_{DS} = V_{GS}, quindi VGD=0<VTHV_{GD} = 0 < V_{TH}: se conduce, è sempre saturo, e Iref=k1(VGSVTH)2I_{ref} = k_1(V_{GS} - V_{TH})^2. Il secondo ha la stessa VGSV_{GS} ed è saturo per ipotesi: Iout=k2(VGSVTH)2I_{out} = k_2(V_{GS} - V_{TH})^2. Il rapporto delle correnti è k2/k1k_2/k_1, e con lo stesso μCox\mu C_{ox} è il rapporto dei W/LW/L.

Fine della dimostrazione.

La corrente di riferimento si fissa con un resistore dall’alimentazione al primo transistore: Iref=(VDDVGS)/RI_{ref} = (V_{DD} - V_{GS})/R. Per 200 μ200\ \muA con il transistore di riferimento, VGS=0,82V_{GS} = 0{,}82 V e R=12,4R = 12{,}4 kΩ\Omega. Il ramo di riferimento è come uno stadio con una resistenza di degenerazione molto grande: una variazione di kk sposta la corrente di un fattore 1+gmR=111 + g_mR = 11 in meno, e un kk più grande del 10% la cambia solo dello 0,8%. La modulazione della lunghezza di canale lascia un piccolo errore: con λ=0,05 V1\lambda = 0{,}05\ \text{V}^{-1} e il drain di uscita a 2 V, contro 0,82 V del riferimento, la copia è più grande del 5,7%.

Lo specchio di corrente A sinistra lo specchio di corrente: un resistore R dall'alimentazione al drain del transistore M 1, che ha il gate collegato al drain e il source a massa; il gate di M 1 è collegato al gate di M 2, che ha il source a massa e porta nel carico, verso l'alimentazione, la corrente I out. A destra la corrente in funzione di V G S per il ramo di M 1: la parabola del transistore e la retta del resistore, in discesa, si incontrano a circa 200 microampere; una parabola tratteggiata, con k più grande del 20 per cento, incontra la retta in un punto poco più in basso e a sinistra. VDD R carico Iout Iref M1 M2 0,40,81,2 0100200300 I (μA) VGS (V) retta di R

A sinistra lo specchio di corrente: la corrente fissata nel ramo di M1M_1 dal resistore RR viene copiata da M2M_2, che ha la stessa tensione tra gate e source. A destra la soluzione grafica per il ramo di riferimento: con un resistore grande la retta è poco inclinata, e una parabola con kk più grande del 20%, tratteggiata, sposta il punto di pochissimo.

Con uno specchio di transistori pp come carico di uno stadio a source comune, il guadagno diventa gm(ronrop)-g_m(r_{on}\parallel r_{op}): con due resistenze di uscita uguali, metà del guadagno intrinseco. È lo stadio di guadagno degli amplificatori operazionali integrati.

Esercizi risolti e commentati

Esercizio 1. Nello stadio con degenerazione dell’articolo, VG=1,22V_G = 1{,}22 V, RS=7,5R_S = 7{,}5 kΩ\Omega e ID=77,6 μI_D = 77{,}6\ \muA, qual è la resistenza RDR_D più grande che tiene il transistore in saturazione con VDD=3,3V_{DD} = 3{,}3 V? Che cosa succede alla dinamica di uscita con RD=25R_D = 25 kΩ\Omega?

Soluzione. Il transistore è saturo se VDVGVTH=1,220,34=0,88V_D \ge V_G - V_{TH} = 1{,}22 - 0{,}34 = 0{,}88 V, cioè RDID3,30,88=2,42R_DI_D \le 3{,}3 - 0{,}88 = 2{,}42 V: RD31R_D \le 31 kΩ\Omega. Con RD=25R_D = 25 kΩ\Omega il drain sta a 3,31,94=1,363{,}3 - 1{,}94 = 1{,}36 V, e l’uscita può scendere di circa 0,480{,}48 V prima della zona ohmica e salire di circa 1,9 V prima dell’interdizione.

Commento. Rispetto allo stadio senza RSR_S il margine verso il basso è più piccolo: i 0,580{,}58 V sul source alzano il gate, e con lui il limite della zona ohmica. La degenerazione si paga in dinamica.

Esercizio 2. Verificare con un conto esatto le variazioni della corrente dello stadio con degenerazione per kk più grande del 10% e per VTHV_{TH} più grande di 50 mV.

Soluzione. Si risolve ID=k(VGIDRSVTH)2I_D = k'(V_G - I_DR_S - V_{TH}')^2 con i parametri cambiati, per esempio per bisezione. Con k=1,1kk' = 1{,}1\,k si trova ID=79,1 μI_D = 79{,}1\ \muA, l’1,93% in più, contro il 2,05% della stima 10%/4,8810\%/4{,}88. Con VTH=0,39V_{TH}' = 0{,}39 V si trova 72,3 μ72{,}3\ \muA, il 6,8% in meno, come la stima 20,05/(0,34,88)-2\cdot0{,}05/(0{,}3\cdot4{,}88). Senza RSR_S, con VGSV_{GS} fissa, le variazioni sarebbero del 10% e del 31%.

Commento. Le stime al primo ordine sono ottime perché le variazioni di corrente sono piccole: è proprio l’effetto della degenerazione. Senza RSR_S la soglia sposta la corrente di tanto che la stima lineare, 33%-33\%, già si allontana dal valore esatto.

Esercizio 3. Nello stadio dell’articolo la resistenza vista dal condensatore di accoppiamento è R1R2=233R_1\parallel R_2 = 233 kΩ\Omega, con una sorgente di resistenza trascurabile. Quanto deve valere CC perché passino i segnali sopra i 20 Hz?

Soluzione. Il condensatore e la resistenza formano un circuito RC con frequenza di taglio 1/2πRC1/2\pi RC. Perché sia sotto i 20 Hz serve C1/(2π20 Hz233 kΩ)=34C \ge 1/(2\pi\cdot20\ \text{Hz}\cdot233\ \text{k}\Omega) = 34 nF; si sceglie per esempio 100 nF, con taglio a 7 Hz.

Commento. Resistori di polarizzazione grandi aiutano: con un partitore da 10 kΩ\Omega servirebbero microfarad. L’analisi in frequenza di questi circuiti è l’argomento dell’articolo successivo.

Esercizio 4. Lo stadio con RD=25R_D = 25 kΩ\Omega deve portare il segnale su un carico di 2 kΩ\Omega. Quanto vale il guadagno complessivo collegando il carico attraverso un condensatore direttamente al drain, e quanto interponendo un source follower con un generatore di corrente ideale da 200 μ200\ \muA?

Soluzione. Direttamente, il carico è in parallelo a RDR_D per il segnale: G=(252) kΩ/(1/gm+RS)=1,85/9,43=0,20G = -(25\parallel2)\ \text{k}\Omega/(1/g_m + R_S) = -1{,}85/9{,}43 = -0{,}20. Con il follower, il drain vede solo il gate del follower e il guadagno del primo stadio resta 2,65-2{,}65; il follower, con ru=1,2r_u = 1{,}2 kΩ\Omega, forma con il carico un partitore 2/(2+1,2)=0,622/(2 + 1{,}2) = 0{,}62. Il guadagno complessivo è 2,650,62=1,65-2{,}65\cdot0{,}62 = -1{,}65.

Commento. Otto volte meglio, con un solo transistore in più. Per un carico ancora più piccolo il follower va polarizzato con più corrente, perché ru=1/gmr_u = 1/g_m scende come l’inverso della radice della corrente. L’effetto body, trascurato qui, toglierebbe un altro 11%: il guadagno del follower con il carico scende da 0,620{,}62 a 0,560{,}56.

Esercizio 5. Uno stadio a source comune con il transistore di riferimento a ID=77,6 μI_D = 77{,}6\ \muA ha come carico uno specchio di transistori pp con la stessa λ=0,05 V1\lambda = 0{,}05\ \text{V}^{-1}. Quanto vale il guadagno?

Soluzione. Le due resistenze di uscita sono uguali, ro=1/λID=258r_o = 1/\lambda I_D = 258 kΩ\Omega, e in parallelo danno 129 kΩ\Omega. Con gm=0,52g_m = 0{,}52 mA/V il guadagno è 0,52 mA/V129 kΩ=67-0{,}52\ \text{mA/V}\cdot129\ \text{k}\Omega = -67.

Commento. Con un resistore da 20 kΩ\Omega lo stesso transistore dava 10-10, e un resistore da 129 kΩ\Omega avrebbe richiesto 10 V di caduta. Il carico attivo ottiene la resistenza di segnale grande senza la caduta continua; il prezzo è che la tensione di uscita a riposo non è più fissata dal circuito con precisione, e va stabilita con una retroazione.

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