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L'amplificatore a source comune

Elettronica · Elettronica analogica Articolo

Percorso: Fondamenti di elettronica · 16 di 20

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Indice

Amplificare con un transistore

Un sensore dà spesso segnali di pochi millivolt, troppo piccoli per essere misurati o usati così come sono. Un MOSFET in saturazione trasforma una variazione della tensione tra gate e source in una variazione di corrente, quasi indipendente dalla tensione del drain; mandando quella corrente in un resistore si ottiene una variazione di tensione, che può essere più grande di quella di partenza. È lo stesso circuito dell’invertitore a carico resistivo, usato però attorno alla soglia di commutazione, nel tratto ripido della caratteristica, invece che ai suoi estremi.

Un segnale di pochi millivolt applicato direttamente tra gate e source non basta ad accendere il transistore: la corrente resta nulla e l’uscita ferma. Al segnale va sommata una tensione costante che porti il transistore in saturazione, con una corrente a riposo: è la polarizzazione, e il punto in cui si trova il transistore senza segnale si chiama punto di lavoro. Il segnale fa oscillare il transistore attorno a quel punto.

Negli amplificatori conviene distinguere le grandezze con la notazione: lettere maiuscole con pedici maiuscoli per la polarizzazione, come VGSV_{GS} e IDI_D; lettere minuscole con pedici minuscoli per il segnale, cioè per le variazioni, come vgsv_{gs} e idi_d; maiuscole con pedici minuscoli per il totale, Vgs=VGS+vgsV_{gs} = V_{GS} + v_{gs} e Id=ID+idI_d = I_D + i_d.

Il MOSFET su segnale

Proposizione (il MOSFET su segnale)

Per un MOSFET in saturazione con corrente Id=k(VgsVTH)2I_d = k(V_{gs} - V_{TH})^2, polarizzato a VGSV_{GS} con Vov=VGSVTH>0V_{ov} = V_{GS} - V_{TH} > 0, la corrente dovuta a un segnale vgsv_{gs} è esattamente

id=gmvgs+kvgs2,gm=2kVov=2IDVov=2kID,i_d = g_mv_{gs} + kv_{gs}^2 , \qquad g_m = 2kV_{ov} = \frac{2I_D}{V_{ov}} = 2\sqrt{kI_D} ,

finché il transistore resta in saturazione. Il termine lineare approssima idi_d con un errore relativo

ϵ=kvgs2gmvgs=vgs2Vov.\epsilon = \frac{kv_{gs}^2}{g_m|v_{gs}|} = \frac{|v_{gs}|}{2V_{ov}} .
Dimostrazione.

Sviluppando il quadrato, Id=k(Vov+vgs)2=kVov2+2kVovvgs+kvgs2I_d = k(V_{ov} + v_{gs})^2 = kV_{ov}^2 + 2kV_{ov}v_{gs} + kv_{gs}^2. Il primo termine è IDI_D, e la differenza è idi_d. Da ID=kVov2I_D = kV_{ov}^2 si ricavano le altre due forme di gmg_m: 2kVov=2kVov2/Vov=2ID/Vov2kV_{ov} = 2kV_{ov}^2/V_{ov} = 2I_D/V_{ov}, e 2kVov=2kkVov2=2kID2kV_{ov} = 2\sqrt{k\cdot kV_{ov}^2} = 2\sqrt{kI_D}. Il rapporto tra il termine quadratico e quello lineare, in modulo, è kvgs2/(2kVovvgs)=vgs/2Vovkv_{gs}^2/(2kV_{ov}|v_{gs}|) = |v_{gs}|/2V_{ov}.

Fine della dimostrazione.

La transconduttanza gmg_m è la pendenza della transcaratteristica nel punto di lavoro, dID/dVGSdI_D/dV_{GS}, e si misura in siemens. L’approssimazione lineare, id=gmvgsi_d = g_mv_{gs}, sostituisce la parabola con la sua tangente: vale per segnali piccoli rispetto a 2Vov2V_{ov}, la condizione di piccolo segnale. Le tre forme di gmg_m dicono cose diverse. A parità di transistore la transconduttanza cresce con la radice della corrente; a parità di VovV_{ov} cresce in proporzione alla corrente, cioè alla larghezza del transistore.

Il MOSFET su piccolo segnale La corrente di drain in funzione della tensione tra gate e source: una parabola che parte dalla soglia. Sulla curva il punto di lavoro Q e la retta tangente in Q. Sotto l'asse orizzontale una sinusoide verticale, la tensione di ingresso che oscilla attorno al punto di lavoro, con il tempo che scorre verso il basso. A sinistra dell'asse verticale la corrente che ne risulta, con il tempo che scorre verso sinistra: oscilla attorno alla corrente di polarizzazione, con i massimi più lontani dei minimi, perché la parabola si incurva verso l'alto. Nell'animazione tre punti si muovono insieme sull'ingresso, sulla curva e sulla corrente. Q VGS ID VTH pendenza gm ingresso vgs corrente ID + id

La transcaratteristica del transistore di riferimento, con il punto di lavoro QQ a VGSVTH=0,3V_{GS} - V_{TH} = 0{,}3 V e la tangente, di pendenza gmg_m. Una sinusoide di 80 mV attorno a QQ produce una corrente che oscilla attorno a IDI_D, con la semionda positiva più ampia di quella negativa: il termine quadratico è sempre positivo.

Nella saturazione reale la corrente dipende anche dalla tensione del drain, per la modulazione della lunghezza di canale: con Id=k(VgsVTH)2(1+λVds)I_d = k(V_{gs} - V_{TH})^2(1 + \lambda V_{ds}) lo sviluppo al primo ordine nelle due variazioni aggiunge un termine vds/rov_{ds}/r_o, con

1ro=IdVds=λkVov2λID.\frac{1}{r_o} = \frac{\partial I_d}{\partial V_{ds}} = \lambda kV_{ov}^2 \approx \lambda I_D .

Per piccolo segnale il transistore è quindi un generatore di corrente gmvgsg_mv_{gs} tra drain e source, con in parallelo la resistenza di uscita ror_o.

Lo stadio a source comune

Lo stadio a source comune ha il source a massa, il segnale sul gate e un resistore RDR_D tra l’alimentazione e il drain, da cui si preleva l’uscita. L’esempio usa il transistore di riferimento, k=0,86k = 0{,}86 mA/V² e VTH=0,34V_{TH} = 0{,}34 V, con VDD=3,3V_{DD} = 3{,}3 V e RD=20R_D = 20 kΩ\Omega.

L’analisi comincia sempre dalla polarizzazione, con il segnale spento. Con VGS=0,64V_{GS} = 0{,}64 V, cioè Vov=0,30V_{ov} = 0{,}30 V, e il transistore supposto saturo,

ID=kVov2=77,6 μA,VD=VDDRDID=1,75 V.I_D = kV_{ov}^2 = 77{,}6\ \mu\text{A} , \qquad V_D = V_{DD} - R_DI_D = 1{,}75\ \text{V} .

La supposizione va verificata: VGD=0,641,75=1,11V_{GD} = 0{,}64 - 1{,}75 = -1{,}11 V è sotto la soglia, e il transistore è davvero saturo. La transconduttanza è gm=2kVov=0,52g_m = 2kV_{ov} = 0{,}52 mA/V, e lo stadio consuma VDDID=0,26V_{DD}I_D = 0{,}26 mW.

Per il segnale si usa il circuito equivalente di piccolo segnale: si tengono solo le grandezze che variano. I generatori di tensione costante, l’alimentazione e la polarizzazione, non producono variazioni e diventano cortocircuiti; un generatore di corrente costante diventerebbe un circuito aperto. Il transistore diventa il generatore di corrente gmvgsg_mv_{gs} con in parallelo ror_o. Il resistore RDR_D, che andava all’alimentazione, per il segnale va a massa.

Lo stadio a source comune e il suo equivalente di piccolo segnale A sinistra lo stadio a source comune: un resistore R D dall'alimentazione V D D al drain di un transistore n, il source a massa, l'uscita V out sul drain; il gate è comandato da un generatore di segnale v in in serie a un generatore di tensione continua V G S riferito a massa. A destra il circuito equivalente per il piccolo segnale: il generatore v in tra gate e massa, e tra l'uscita e massa, in parallelo, un generatore di corrente g m per v g s, una resistenza r o tratteggiata e la resistenza R D, che ora va a massa. RD VDD Vout vin VGS G D gmvgs ro RD vout vin circuito piccolo segnale

A sinistra lo stadio a source comune, con la polarizzazione VGSV_{GS} e il segnale vinv_{in} in serie sul gate. A destra il circuito equivalente di piccolo segnale: l’alimentazione e VGSV_{GS} sono cortocircuiti, il transistore è un generatore di corrente comandato con la sua resistenza di uscita ror_o, tratteggiata, e RDR_D è collegata a massa.

Proposizione (guadagno dello stadio a source comune)

Il guadagno di piccolo segnale dello stadio a source comune è

G=voutvin=gm(RDro),G = \frac{v_{out}}{v_{in}} = -g_m\left(R_D\parallel r_o\right) ,

e, trascurando ror_o, G=gmRD=2RDIDVovG = -g_mR_D = -2\,\dfrac{R_DI_D}{V_{ov}}.

Dimostrazione.

Nel circuito di piccolo segnale il source è a massa, quindi vgs=vinv_{gs} = v_{in}. Al nodo di drain la corrente gmving_mv_{in} del generatore, che scorre dal drain verso massa, deve essere fornita da RDR_D e da ror_o, in parallelo tra il nodo e massa: la legge di Kirchhoff delle correnti dà gmvin+vout/RD+vout/ro=0g_mv_{in} + v_{out}/R_D + v_{out}/r_o = 0, cioè vout=gm(RDro)vinv_{out} = -g_m(R_D\parallel r_o)\,v_{in}. Senza ror_o, con gm=2ID/Vovg_m = 2I_D/V_{ov}, si ottiene la seconda forma.

Fine della dimostrazione.

Per l’esempio G=0,52 mA/V20 kΩ=10,35G = -0{,}52\ \text{mA/V}\cdot20\ \text{k}\Omega = -10{,}35: un segnale di 10 mV sul gate diventa un segnale di 103 mV sul drain, in controfase. Lo stadio è un amplificatore invertente. Con λ=0,05 V1\lambda = 0{,}05\ \text{V}^{-1} la resistenza di uscita è ro=1/λID=258r_o = 1/\lambda I_D = 258 kΩ\Omega, e il guadagno scende a 9,6-9{,}6.

La seconda forma del guadagno è la più istruttiva: RDIDR_DI_D è la caduta di tensione continua sul resistore, 1,551{,}55 V, e il guadagno è il doppio del suo rapporto con VovV_{ov}. Per avere più guadagno bisogna far cadere più tensione su RDR_D, e l’alimentazione pone un limite, oppure lavorare con un VovV_{ov} più piccolo, che peggiora la linearità. Con RDR_D infinito il guadagno arriva al massimo che un transistore può dare da solo, il guadagno intrinseco

gmro=2kVovλkVov2=2λVov,g_mr_o = \frac{2kV_{ov}}{\lambda kV_{ov}^2} = \frac{2}{\lambda V_{ov}} ,

133 per l’esempio. Per avvicinarsi serve un carico che abbia una resistenza di segnale grande senza far cadere una tensione continua grande: un generatore di corrente, argomento dell’articolo sugli stadi amplificatori.

Errore di linearità e distorsione

Con un segnale di 10 mV il termine quadratico vale 1,7%1{,}7\% di quello lineare, e l’analisi lineare basta. Con segnali più grandi la forma d’onda si deforma: la semionda che aumenta la corrente è amplificata più di quella che la diminuisce.

Proposizione (distorsione di seconda armonica)

Per un segnale vgs=Asinωtv_{gs} = A\sin\omega t, finché il transistore resta saturo, la corrente di segnale è

id=kA22+gmAsinωtkA22cos2ωt,i_d = \frac{kA^2}{2} + g_mA\sin\omega t - \frac{kA^2}{2}\cos2\omega t ,

e il rapporto tra l’ampiezza della seconda armonica e quella della prima, la distorsione di seconda armonica, è

HD2=kA2/2gmA=A4Vov.HD_2 = \frac{kA^2/2}{g_mA} = \frac{A}{4V_{ov}} .
Dimostrazione.

Per la proposizione sul MOSFET su segnale id=gmAsinωt+kA2sin2ωti_d = g_mA\sin\omega t + kA^2\sin^2\omega t, e con sin2ωt=(1cos2ωt)/2\sin^2\omega t = (1 - \cos2\omega t)/2 si ottiene l’espressione. Il rapporto delle ampiezze, con gm=2kVovg_m = 2kV_{ov}, è kA2/(22kVovA)=A/4VovkA^2/(2\cdot2kV_{ov}A) = A/4V_{ov}.

Fine della dimostrazione.

L’uscita, vout=RDidv_{out} = -R_Di_d, contiene tre termini: un piccolo spostamento del valore medio, la sinusoide amplificata e una componente alla frequenza doppia, che il segnale di ingresso non aveva. Con A=50A = 50 mV, per l’esempio, HD2=4,2%HD_2 = 4{,}2\%: la sinusoide in uscita è ampia 518 mV, la seconda armonica 21,6 mV, e il valore medio scende di 21,6 mV. L’uscita esatta scende fino a 561-561 mV e sale solo fino a +474+474. In un amplificatore audio la seconda armonica si sente; in un ricevitore radio i prodotti di distorsione cadono sui canali vicini. Per ridurla, a parità di segnale, serve un VovV_{ov} più grande, oppure la retroazione.

La distorsione dell'uscita In alto un periodo della tensione di uscita dell'amplificatore, rispetto al valore di polarizzazione, per un ingresso sinusoidale di 50 millivolt. La sinusoide tratteggiata dell'approssimazione lineare oscilla tra più e meno 518 millivolt; la curva esatta scende di più, fino a meno 561 millivolt, e sale di meno, fino a più 474. In basso due barre: il primo armonico, 518 millivolt, e il secondo armonico, alla frequenza doppia, 21,6 millivolt, il 4,2 per cento. −0,500,5 vout (V) −561 mV +474 mV un periodo 1° armonico 518 mV 2° armonico 21,6 mV ampiezza delle armoniche

In alto un periodo della tensione di uscita dello stadio di esempio, per un ingresso di 50 mV: la curva esatta, in arancio, e la sinusoide dell’approssimazione lineare, tratteggiata. In basso le ampiezze delle prime due armoniche dell’uscita esatta: la seconda è il 4,2% della prima.

Impedenze di ingresso e di uscita

Un amplificatore si collega a una sorgente e a un carico, e conviene descriverlo con le sue resistenze viste dai morsetti. La resistenza di piccolo segnale vista da un nodo verso massa è il rapporto v/i\partial v/\partial i tra una piccola variazione di tensione applicata al nodo e la variazione di corrente che ne risulta, con gli altri generatori di segnale spenti.

Il gate non assorbe corrente: la resistenza di ingresso dello stadio è infinita, e la sorgente del segnale non deve fornire né corrente né potenza. Per la resistenza di uscita si spegne vinv_{in} e si applica una tensione v\partial v all’uscita: con vgs=0v_{gs} = 0 il generatore comandato non porta corrente, e la corrente è quella di RDR_D e ror_o. Quindi ru=RDroRDr_u = R_D\parallel r_o \approx R_D.

Per il teorema di Thévenin l’uscita dell’amplificatore, vista dal carico, è un generatore GvinGv_{in}, la tensione a vuoto, in serie a rur_u. Con un carico RLR_L il segnale sul carico è

vL=GvinRLru+RL=gm(RDRL)vin,v_L = Gv_{in}\,\frac{R_L}{r_u + R_L} = -g_m\left(R_D\parallel R_L\right)v_{in} ,

trascurando ror_o. Con un carico di 20 kΩ\Omega il guadagno dell’esempio si dimezza, a 5,2-5{,}2. Il guadagno di uno stadio a source comune dipende da quello che gli si collega: una resistenza di uscita grande è un difetto per un amplificatore di tensione. Se poi il carico è collegato direttamente, in continua, cambia anche la polarizzazione, e con carichi piccoli il transistore esce dalla saturazione; il modo di evitarlo è nell’articolo sulla polarizzazione.

La dinamica

Fino a quale ampiezza il segnale è amplificato senza che il transistore esca dalla saturazione? Il massimo segnale utile all’ingresso si chiama dinamica di ingresso, la corrispondente escursione dell’uscita dinamica di uscita. Qui l’approssimazione lineare non vale più, perché ai limiti il segnale non è piccolo.

Verso il basso il limite è l’interdizione: la corrente si annulla quando VGS+vin=VTHV_{GS} + v_{in} = V_{TH}, cioè per vin=Vov=0,30v_{in} = -V_{ov} = -0{,}30 V, e l’uscita arriva a VDDV_{DD}. La stima lineare, gmvin=IDg_mv_{in} = -I_D, darebbe vin=ID/gm=Vov/2v_{in} = -I_D/g_m = -V_{ov}/2, la metà: per spegnere il transistore bisogna percorrere tutta la parabola, dove la tangente non la segue più.

Verso l’alto il limite è la zona ohmica, quando il drain scende di una soglia sotto il gate: Vout=VGS+vinVTH=Vov+vinV_{out} = V_{GS} + v_{in} - V_{TH} = V_{ov} + v_{in}. Con l’uscita della saturazione, Vout=VDDRDk(Vov+vin)2V_{out} = V_{DD} - R_Dk(V_{ov} + v_{in})^2, la condizione diventa un’equazione di secondo grado in x=Vov+vinx = V_{ov} + v_{in}:

RDkx2+xVDD=0,R_Dk\,x^2 + x - V_{DD} = 0 ,

che con RDk=17,25 V1R_Dk = 17{,}25\ \text{V}^{-1}x=0,409x = 0{,}409 V, cioè vin=+0,109v_{in} = +0{,}109 V, con l’uscita a 0,410{,}41 V. La stima lineare, VD+Gvin=Vov+vinV_D + Gv_{in} = V_{ov} + v_{in}, darebbe vin=(VDVov)/(1+G)=0,128v_{in} = (V_D - V_{ov})/(1 + |G|) = 0{,}128 V. La dinamica di ingresso va quindi da 0,30-0{,}30 a +0,11+0{,}11 V, quella di uscita da 0,410{,}41 a 3,33{,}3 V: tutte e due asimmetriche attorno al punto di lavoro.

La dinamica dello stadio a source comune La tensione di uscita in funzione del segnale sul gate, da meno 0,4 a più 0,3 volt. Fino a meno 0,30 volt il transistore è spento e l'uscita è a 3,3 volt; poi l'uscita scende lungo un arco di parabola, passa per il punto di lavoro a 1,75 volt con segnale nullo, e a più 0,11 volt, dove il transistore entra in zona ohmica, è scesa a 0,41 volt; oltre scende sempre più piano. Una retta tratteggiata tangente nel punto di lavoro rappresenta la risposta lineare. Due guide verticali segnano i limiti esatti della dinamica di ingresso, due tacche le stime lineari, meno 0,15 e più 0,13 volt. −0,4−0,3−0,2−0,100,10,20,3 123 Q interdizione zona ohmica dinamica di ingresso Vout (V) vin (V) pendenza G

La tensione di uscita dello stadio di esempio in funzione del segnale sul gate, calcolata con il modello quadratico. La zona ombreggiata è la dinamica di ingresso: a sinistra il transistore si spegne, a destra entra in zona ohmica. La retta tratteggiata è la risposta lineare attorno al punto di lavoro QQ; le tacche sull’asse segnano i limiti che si otterrebbero con la sola analisi lineare.

Esercizi risolti e commentati

Esercizio 1. Con il transistore di riferimento, VDD=3,3V_{DD} = 3{,}3 V e Vov=0,3V_{ov} = 0{,}3 V, qual è il guadagno massimo che uno stadio a source comune con carico resistivo può avere restando in saturazione? E quanto vale con Vov=0,15V_{ov} = 0{,}15 V?

Soluzione. Il transistore resta saturo se VDVGSVTH=VovV_D \ge V_{GS} - V_{TH} = V_{ov}, cioè RDIDVDDVovR_DI_D \le V_{DD} - V_{ov}. Il guadagno è G=2RDID/Vov|G| = 2R_DI_D/V_{ov}, quindi

G2(VDDVov)Vov=23,00,3=20.|G| \le \frac{2\left(V_{DD} - V_{ov}\right)}{V_{ov}} = \frac{2\cdot3{,}0}{0{,}3} = 20 .

Con Vov=0,15V_{ov} = 0{,}15 V il limite sale a 23,15/0,15=422\cdot3{,}15/0{,}15 = 42.

Commento. Al limite il punto di lavoro sta proprio al bordo della zona ohmica, e la dinamica verso il basso è nulla: in pratica si resta ben sotto. Ridurre VovV_{ov} aumenta il guadagno ma riduce la linearità, perché l’errore vgs/2Vov|v_{gs}|/2V_{ov} raddoppia, e con una corrente fissa richiede un transistore più largo.

Esercizio 2. Quanto cambia la transconduttanza del transistore di riferimento se si raddoppia la corrente di polarizzazione lasciando il transistore com’è? E se la si raddoppia raddoppiando la larghezza del transistore, a parità di VovV_{ov}?

Soluzione. Con gm=2kIDg_m = 2\sqrt{kI_D} e kk fisso, raddoppiare IDI_D moltiplica gmg_m per 2\sqrt2: da 0,520{,}52 a 0,730{,}73 mA/V, e VovV_{ov} sale da 0,300{,}30 a 0,420{,}42 V. Con gm=2ID/Vovg_m = 2I_D/V_{ov} e VovV_{ov} fisso, raddoppiare la corrente con il doppio della larghezza raddoppia gmg_m, a 1,041{,}04 mA/V.

Commento. Il transistore bipolare ha gm=IC/VTg_m = I_C/V_T, con VT=26V_T = 26 mV: a parità di corrente, un MOSFET con Vov=0,3V_{ov} = 0{,}3 V ha una transconduttanza circa sei volte più piccola, perché 2/Vov=6,7 V12/V_{ov} = 6{,}7\ \text{V}^{-1} contro 1/VT=39 V11/V_T = 39\ \text{V}^{-1}. È una delle ragioni per cui il bipolare resiste negli amplificatori.

Esercizio 3. Qual è l’ampiezza massima del segnale di ingresso dello stadio di esempio perché la distorsione di seconda armonica non superi l’1%? Quanto è grande allora il segnale di uscita?

Soluzione. Da HD2=A/4Vov0,01HD_2 = A/4V_{ov} \le 0{,}01 si ottiene A0,040,3 V=12A \le 0{,}04\cdot0{,}3\ \text{V} = 12 mV. L’uscita è ampia 10,3512 mV=12410{,}35\cdot12\ \text{mV} = 124 mV.

Commento. Uno stadio a source comune semplice non può dare insieme un’uscita di un volt e una distorsione dell’1%: servirebbe un ingresso di 97 mV, e quindi un VovV_{ov} di 2,42{,}4 V, impossibile con questa alimentazione. La soluzione è la retroazione, che scambia guadagno con linearità, a partire dalla resistenza sul source dell’articolo successivo.

Esercizio 4. All’uscita dello stadio di esempio si collega direttamente verso massa un carico RL=20R_L = 20 kΩ\Omega. Dove si porta la tensione di uscita a riposo? Il transistore resta saturo? Quanto vale il guadagno?

Soluzione. La legge delle correnti al nodo di uscita, con il transistore saturo che porta IDI_D, è (VDDV)/RD=ID+V/RL(V_{DD} - V)/R_D = I_D + V/R_L, da cui

V=(VDDRDID)RLRD+RL=1,75 V12=0,87 V.V = \left(V_{DD} - R_DI_D\right)\frac{R_L}{R_D + R_L} = 1{,}75\ \text{V}\cdot\frac{1}{2} = 0{,}87\ \text{V} .

Il transistore è saturo se VVov=0,30V \ge V_{ov} = 0{,}30 V: lo è, con poco margine. Il guadagno è gm(RDRL)=0,52 mA/V10 kΩ=5,2-g_m(R_D\parallel R_L) = -0{,}52\ \text{mA/V}\cdot10\ \text{k}\Omega = -5{,}2.

Commento. Il carico ha dimezzato il guadagno e ha spostato il punto di lavoro, riducendo a meno di 0,6 V lo spazio verso la zona ohmica. Con un carico di 5 kΩ\Omega l’uscita a riposo sarebbe a 0,350{,}35 V, quasi al bordo. Per collegare un carico senza toccare la polarizzazione si usa un condensatore di accoppiamento, o uno stadio intermedio con resistenza di uscita piccola.

Esercizio 5. Con λ=0,05 V1\lambda = 0{,}05\ \text{V}^{-1}, quale resistenza RDR_D darebbe un guadagno di 100-100, se la polarizzazione restasse la stessa? È realizzabile?

Soluzione. Con ro=258r_o = 258 kΩ\Omega e gm=0,52g_m = 0{,}52 mA/V serve RDro=100/gm=193R_D\parallel r_o = 100/g_m = 193 kΩ\Omega, cioè RD=1/(1/1931/258) kΩ=770R_D = 1/(1/193 - 1/258)\ \text{k}\Omega = 770 kΩ\Omega. Ma con ID=77,6 μI_D = 77{,}6\ \muA la caduta su un resistore così sarebbe di 60 V.

Commento. Con un resistore i guadagni alti sono irraggiungibili, perché la caduta continua cresce insieme alla resistenza. Un carico attivo, cioè un transistore pp usato come generatore di corrente, ha una resistenza di segnale di centinaia di kiloohm con una caduta continua di qualche decimo di volt: è così che gli amplificatori integrati arrivano a guadagni di decine o centinaia per stadio.

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